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APT6038SFLLG

更新时间： 2024-11-25 14:49:35

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	165K
描述
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3

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APT6038SFLLG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.28	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	960 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	17 A	最大漏源导通电阻：	0.38 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	68 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT6038SFLLG 数据手册

APT6038BFLL

APT6038SFLL

600V 17A 0.380Ω

BFLL

POWER MOS 7 FREDFET

D³PAK

Power MOS 7^®is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel

enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching

losses are addressed with Power MOS 7^®by significantly lowering R_DS(ON)

and Q_g. Power MOS 7^®combines lower conduction and switching losses

along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's

patented metal gate structure.

TO-247

SFLL

• Lower Input Capacitance

• Lower Miller Capacitance

• Lower Gate Charge, Qg

• IncreasedPowerDissipation

• Easier To Drive

• TO-247 or Surface Mount D³PAK Package

•

FAST RECOVERY BODY DIODE

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT6038BFLL_SFLL

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

600

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

±30

±40

265

Watts

W/°C

P_D

2.12

-55 to 150

300

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

960

STATICELECTRICALCHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

UNIT

Volts

Ohms

MIN

TYP

MAX

BV_DSS

R_DS(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

600

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, I_D= 8.5A)

0.380

250

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 600V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 480V, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 1mA)

I_DSS

µA

1000

±100

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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APT6038SFLLG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT6035SVRG	MICROSEMI	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT6029SFLLG	MICROSEMI	类似代替	暂无描述
APT6029SLLG	MICROSEMI	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与APT6038SFLLG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT6038SLL	ADPOW	获取价格	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT6039BNR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 17A I(D) \| TO-247AD
APT6039SNR	MICROSEMI	获取价格	17A, 600V, 0.39ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D3PAK-3
APT6040	ADPOW	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT6040AN	ADPOW	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT6040BN	ADPOW	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT6040BN-GULLWING	ADPOW	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
APT6040BNR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-247AD
APT6040BNR-BUTT	ADPOW	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
APT6040BNR-GULLWING	ADPOW	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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