APT6040BVFR

更新时间： 2024-11-25 08:33:31

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ADPOW		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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POWER MOS V FREDFET

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APT6040BVFR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	其他特性：	AVALANCHE ENERGY RATED
雪崩能效等级（Eas）：	960 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT6040BVFR 数据手册

600V 16A 0.40Ω

APT6040BVFR APT6040SVFR

APT6040BVFRG*APT6040SVFRG*

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

BVFR

POWER MOS V^®FREDFET

D³PAK

Power MOS V^®is a new generation of high voltage N-Channel enhancement

mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,

increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V^®

also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

TO-247

SVFR

• Faster Switching

• Lower Leakage

• Avalanche Energy Rated

•

FAST RECOVERY BODY DIODE

• TO-247or SurfaceMountD³PAKPackage

MAXIMUMRATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT6040B_SVFR(G)

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

600

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

±30

±40

250

Watts

W/°C

P_D

2.0

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

960

STATICELECTRICALCHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Volts

Ohms

BV_DSS

R_DS(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

600

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, I_D= 8A)

0.400

250

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 600V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 480V, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 1mA)

I_DSS

µA

1000

±100

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT6040BVFRE3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT6040BVFRG	ADPOW	获取价格	POWER MOS V FREDFET
APT6040BVR	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT6040BVR	ADPOW	获取价格	POWER MOS V
APT6040CN	ADPOW	获取价格	Transistor
APT6040DN	ADPOW	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
APT6040HN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 16.5A I(D) \| TO-258ISO
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