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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.27 |
| 其他特性： | HIGH VOLTAGE | 雪崩能效等级（Eas）： | 1210 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.35 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 72 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT6035CN | ADPOW |
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Transistor |
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| APT6035SVFR | ADPOW |
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POWER MOS V FREDFET |
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| APT6035SVFRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT6035SVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT6035SVR | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT6035SVRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT6037HVR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT6038BFLL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT6038BFLL_04 | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT6038BFLLG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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