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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.14 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1210 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 21 A | 最大漏极电流 (ID)： | 21 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.29 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 84 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT6029SLLG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT6030 | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT6030BN | ADPOW |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT6030BN | COMSET |
获取价格 |
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS TRANSISTORS |
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| APT6030BN-BUTT | MICROSEMI |
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23A, 600V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| APT6030BN-GULLWING | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT6030BNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247AD |
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| APT6030BNR-BUTT | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| APT6030BVFR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT6030BVFR_05 | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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