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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22 A | 最大漏极电流 (ID)： | 22 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.33 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 285 pF | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 360 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 360 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 88 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 230 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 110 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT6033BN-BUTT | MICROSEMI |
获取价格 |
22A, 600V, 0.33ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| APT6033BN-GULLWING | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT6033BN-GULLWING | MICROSEMI |
获取价格 |
22A, 600V, 0.33ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
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| APT6033BNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247AD |
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| APT6035 | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT6035AN | ADPOW |
获取价格 |
Transistor |
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| APT6035AVR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT6035BN | ADPOW |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT6035BN-BUTT | MICROSEMI |
获取价格 |
19A, 600V, 0.35ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| APT6035BN-GULLWING | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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