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APT6030BNR-BUTT

更新时间： 2024-11-25 13:05:39

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		高压
页数	文件大小	规格书
4页	66K
描述
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

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APT6030BNR-BUTT 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
雪崩能效等级（Eas）：	1300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	23 A	最大漏源导通电阻：	0.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	92 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT6030BNR-BUTT 数据手册

APT6030BVFR

600V 21A 0.300W

POWER MOS V^®

FREDFET

Power MOS V^®is a new generation of high voltage N-Channel enhancement

mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,

increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V^®

also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

TO-247

• Fast Recovery Body Diode

• Lower Leakage

• 100% Avalanche Tested

• Popular TO-247 Package

• Faster Switching

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT6030BVFR

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

600

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

±30

±40

300

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

Watts

W/°C

P_D

2.4

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

1300

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

600

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

I_D(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

Volts

On State Drain Current

(V_DS> I_D(on)x R_DS(on)Max, V_GS= 10V)

Amps

R_DS(on)

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, 0.5 I_D[Cont.])

Ohms

µA

0.30

250

1000

±100

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 1.0mA)

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA

405 S.W. Columbia Street

Chemin de Magret

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 47 97 61

EUROPE

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT6030BVFR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6030BVFR_05	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6030BVFRG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
APT6030BVR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6030BVR_04	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6030BVRG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
APT6030DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| CHIP
APT6030HJN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)DSS \| 23A I(D)
APT6030SN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 23A I(D) \| TO-263AB
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