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APT6030BN

更新时间： 2024-02-27 12:10:16

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COMSET		晶体晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
页数	文件大小	规格书
4页	123K
描述
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS TRANSISTORS

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APT6030BN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.3	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	21 A	最大漏源导通电阻：	0.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT6030BN 数据手册

SEMICONDUCTORS

APT6030BN

N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE

POWER MOSFETS TRANSISTORS

FEATURE

N channel in a plastic TO-3PML package.

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

V_DS

I_DS

Drain-Source Voltage

600

Continuous Drain Current T_C= 37°C

I_DM

Pulsed Drain Current T_C= 25°C

V_GS

R_DS(on)

Gate-Source Voltage

0.30

360

Ω

Drain-Source on Resistance

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

P_T

2.9

W/°C

t_J

t_stg

Operating Temperature

Storage Temperature range

-55 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

R_thJC

R_thJA

Thermal Resistance, junction-case

Thermal Resistance, junction-ambient

0.34

°C/W

22/10/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

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12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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