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APT6025SVFR

更新时间： 2024-11-21 20:33:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 118K
描述
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3

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APT6025SVFR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1300 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：370 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APT6025SVFR 数据手册

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APT6025BVFR  
APT6025SVFR  
600V 25A 0.250Ω  
POWER MOS V®  
FREDFET  
D3PAK  
TO-247  
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement  
mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,  
increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V®  
also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.  
• Fast Recovery Body Diode  
• Lower Leakage  
• Avalanche Energy Rated  
D
S
• TO-247 or Surface Mount  
D3PAK Package  
FREDFET  
• Faster Switching  
G
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT6025BVFR_SVFR  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
600  
25  
Volts  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
Volts  
1
IDM  
Pulsed Drain Current  
100  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
±30  
±40  
Watts  
W/°C  
370  
PD  
2.96  
-55 to 150  
300  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
25  
1
EAR  
EAS  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
30  
4
1300  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
Volts  
BVDSS  
RDS(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
600  
2
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 12.5A)  
0.250  
250  
Ohms  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 600V, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 480V, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1mA)  
IDSS  
µA  
1000  
±100  
4
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
2
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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