Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APT12057LLL

APT12057LLL

更新时间： 2024-02-03 10:34:14

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ADPOW		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

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APT12057LLL 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22 A
最大漏极电流 (ID)：	22 A	最大漏源导通电阻：	0.57 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	690 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	88 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT12057LLL 数据手册

APT12057B2LL

APT12057LLL

1200V 22A 0.570W

B2LL

POWER MOS 7

Power MOS 7^TMis a new generation of low loss, high voltage, N-Channel

enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching

losses are addressed with Power MOS 7^TMby significantly lowering R_DS(ON)

and Q_g. Power MOS 7^TMcombines lower conduction and switching losses

along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's

patented metal gate structure.

T-MAX™

TO-264

LLL

• Lower Input Capacitance

• Increased Power Dissipation

• Lower Miller Capacitance • Easier To Drive

• Lower Gate Charge, Qg

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

• Popular T-MAX™ or TO-264 Package

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT12057

1200

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

±30

±40

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

690

Watts

W/°C

P_D

5.52

-55 to 150

300

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

3000

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

1200

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

I_D(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

Volts

On State Drain Current

(V_DS> I_D(on)x R_DS(on)Max, V_GS= 10V)

Amps

R_DS(on)

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, 0.5 I_D[Cont.])

Ohms

µA

0.570

100

500

±100

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA)

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA

405 S.W. Columbia Street

Chemin de Magret

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 47 97 61

EUROPE

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT-12057R	AGILENT	获取价格	6000MHz - 12000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
APT12060B2VFR	ADPOW	获取价格	POWER MOS V
APT12060B2VFRG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT12060B2VR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT12060LVFR	ADPOW	获取价格	POWER MOS V
APT12060LVFRG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT12060LVR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT-12066R	AGILENT	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier, 6000MHz Min, 12000MHz Max,
APT12067B2FLL	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 FREDFET
APT12067B2FLLG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1200V, 0.67ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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