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APM4416KC-TUL

更新时间： 2024-09-15 03:06:15

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茂达 - ANPEC		/
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10页	117K
描述
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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APM4416KC-TUL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

APM4416KC-TUL 数据手册

APM4416K

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D*

Parameter

Rating

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Continuous Drain Current

V_GS=10V

I_DM

300µs Pulsed Drain Current

I_S*

Diode Continuous Forward Current

T_J

150

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

°C

T_STG

-55 to 150

T_A=25°C

P_D*

Maximum Power Dissipation

T_A=100°C

0.8

R_θJA

Thermal Resistance-Junction to Ambient

*Surface Mounted on 1in²pad area, t ≤ 10sec.

°C/W

62.5

Note:

Electrical Characteristics (T_A= 25°C unless otherwise noted)

APM4416K

Symbol

Parameter

Test Condition

Unit

Min. Typ. Max.

Static Characteristics

BV_DSSDrain-Source Breakdown Voltage

V_GS=0V, I_DS=250µA

V_DS=24V, V_GS=0V

I_DSSZero Gate Voltage Drain Current

µA

T_J=85°C

V_GS(th)Gate Threshold Voltage

I_GSSGate Leakage Current

1.5

±100

V_DS=V_GS, I_DS=250µA

V_GS=±20V, V_DS=0V

V_GS=10V, I_DS=4A

V_GS=4.5V, I_DS=2A

I_SD=2A, V_GS=0V

R_DS(ON)Drain-Source On-state Resistance

mΩ

V_SD

Diode Forward Voltage

0.7

1.3

Gate Charge Characteristics ^b

Q_g

Q_gs

Q_gd

Total Gate Charge

Gate-Source Charge

Gate-Drain Charge

V_DS=15V, V_GS=10V,

I_DS=4A

Rev. B.1 - Mar., 2005

www.anpec.com.tw

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