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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 15 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-J44 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | J BEND | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9T15GH | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9T15GH-HF | A-POWER |
获取价格 |
暂无描述 |
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| AP9T15GJ | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9T15GJ-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| AP9T16AGH-HF | A-POWER |
获取价格 |
Lower Gate Charge, Capable of 2.5V Gate Drive |
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| AP9T16GH | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP9T16GJ | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9T18GEH | A-POWER |
获取价格 |
G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive |
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| AP9T18GEJ | A-POWER |
获取价格 |
G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive |
|
| AP9T18GH | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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