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AP9T16GJ

更新时间： 2024-11-30 08:32:11

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富鼎先进 - A-POWER		/
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4页	109K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9T16GJ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	25 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	90 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

AP9T16GJ 数据手册

AP9T16GH/J

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

20V

25mΩ

25A

▼ Capable of 2.5V gate drive

▼ Single Drive Requirement

▼ RoHS Compliant

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

TO-252(H)

TO-251(J)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Rating

±16

Units

V_DS

V_GS

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

0.2

-55 to 150

W/℃

℃

T_STG

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

110

Units

℃/W

Rthj-c

Thermal Resistance Junction-case

Thermal Resistance Junction-ambient

Max.

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

200908052-1/4

12 3 4

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