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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-251 |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.68 | 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9T18GH | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9T18GJ | A-POWER |
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TRANSISTOR 38 A, 20 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT PAC |
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| AP9T19GH | A-POWER |
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TRANSISTOR 33 A, 12 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, LEAD FREE PACKAGE- |
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| AP9T19GJ | A-POWER |
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Low Gate Charge, Capable of 2.5V gate drive |
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| AP9U18GH | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP-A | OMRON |
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TERMINAL ENCLOSE SIDEMNT RESIN |
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| APA04A03 | ASTEC |
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20 Watts |
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| APA06 | ASTEC |
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3-5.5Vdc Input, 1.2Vdc - 3.3Vdc Output 20W DC-DC Converter |
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| APA06_02 | ASTEC |
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3-5.5Vdc Input, 1.2Vdc - 3.3Vdc Output 20W DC-DC Converter |
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| APA0606100M050R | KYOCERA AVX |
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SMD Vertical Aluminum Conductive Polymer Electrolytic Capacitor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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