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AP9B116-15QC

更新时间: 2024-11-29 20:49:23
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 291K
描述
Standard SRAM, 128KX24, 15ns, CMOS, PQFP100

AP9B116-15QC 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:QFP,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:15 nsJESD-30 代码:R-PQFP-G100
内存密度:3145728 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:24功能数量:1
端子数量:100字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX24封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子位置:QUADBase Number Matches:1

AP9B116-15QC 数据手册

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