生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 10 ns | JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 |
内存密度: | 3145728 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 24 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 119 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX24 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | BALL | 端子位置: | BOTTOM |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AP9B116L-10QC | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX24, 10ns, CMOS, PQFP100 | |
AP9B116L-12BC | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX24, 12ns, CMOS, PBGA119 | |
AP9B116L-12QC | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX24, 12ns, CMOS, PQFP100 | |
AP9B116L-15BC | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX24, 15ns, CMOS, PBGA119 | |
AP9B116L-15QC | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX24, 15ns, CMOS, PQFP100 | |
AP9B116L-9BC | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX24, 9ns, CMOS, PBGA119 | |
AP9B116L-9QC | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX24, 9ns, CMOS, PQFP100 | |
AP9B132-10TC | ISSI |
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Cache SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44 | |
AP9B132-10TI | ISSI |
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Cache SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44 | |
AP9B132-10VC | ISSI |
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Cache SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36 |