5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 12 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9B132-12TI | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44 |
|
| AP9B132-12VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO36 |
|
| AP9B132-12VI | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO36 |
|
| AP9B132-15TC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO44 |
|
| AP9B132-15TI | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO44 |
|
| AP9B132-15VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36 |
|
| AP9B132-15VI | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36 |
|
| AP9B132-4RC | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 4.5ns, CMOS, PQFP100 |
|
| AP9B132-5RC | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 5ns, CMOS, PQFP100 |
|
| AP9B132-6RC | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 6ns, CMOS, PQFP100 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
