是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | BQFP, SPQFP132,1.1SQ | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 25 ns | 其他特性: | RETRANSMIT; PARITY CHECKER; MAIL BOX |
最大时钟频率 (fCLK): | 28.5 MHz | 周期时间: | 30 ns |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G132 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 18432 bit | 内存集成电路类型: | BI-DIRECTIONAL FIFO |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 132 | 字数: | 512 words |
字数代码: | 512 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512X36 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BQFP | 封装等效代码: | SPQFP132,1.1SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.28 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | MOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.635 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AP9B102-10VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28 | |
AP9B102-12VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28 | |
AP9B102-15VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28 | |
AP9B102-8VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 8ns, CMOS, PDSO28 | |
AP9B102L-10VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28 | |
AP9B102L-12VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28 | |
AP9B102L-15VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28 | |
AP9B102L-8VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 8ns, CMOS, PDSO28 | |
AP9B104-10TC | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44 | |
AP9B104-10VC | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44 |