5秒后页面跳转
AP9B102-10VC PDF预览

AP9B102-10VC

更新时间: 2024-11-09 21:10:03
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 223K
描述
Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28

AP9B102-10VC 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:10 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J28
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端子数量:28字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

AP9B102-10VC 数据手册

 浏览型号AP9B102-10VC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP9B102-10VC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP9B102-10VC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AP9B102-10VC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AP9B102-10VC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AP9B102-10VC的Datasheet PDF文件第7页 

与AP9B102-10VC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP9B102-12VC ISSI

获取价格

Cache SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28
AP9B102-15VC ISSI

获取价格

Cache SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28
AP9B102-8VC ISSI

获取价格

Cache SRAM, 256KX4, 8ns, CMOS, PDSO28
AP9B102L-10VC ISSI

获取价格

Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28
AP9B102L-12VC ISSI

获取价格

Cache SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28
AP9B102L-15VC ISSI

获取价格

Cache SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28
AP9B102L-8VC ISSI

获取价格

Cache SRAM, 256KX4, 8ns, CMOS, PDSO28
AP9B104-10TC ISSI

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44
AP9B104-10VC ISSI

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44
AP9B104-12TC ISSI

获取价格

Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44