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AP9B102-12VC

更新时间: 2024-11-29 03:25:47
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 223K
描述
Cache SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28

AP9B102-12VC 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:12 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J28
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端子数量:28字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

AP9B102-12VC 数据手册

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