是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | BQFP, SPQFP132,1.1SQ | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 9 ns |
其他特性: | RETRANSMIT; PARITY CHECKER; MAIL BOX | 最大时钟频率 (fCLK): | 67 MHz |
周期时间: | 15 ns | JESD-30 代码: | S-PQFP-G132 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 18432 bit |
内存集成电路类型: | BI-DIRECTIONAL FIFO | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 132 |
字数: | 512 words | 字数代码: | 512 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512X36 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BQFP |
封装等效代码: | SPQFP132,1.1SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.28 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | MOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.635 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AP9A437-20QC | ISSI |
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Bi-Directional FIFO, 512X36, 12ns, Synchronous, MOS, PQFP132 | |
AP9A437-25QC | ISSI |
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Bi-Directional FIFO, 512X36, 16ns, Synchronous, MOS, PQFP132 | |
AP9A437-35QC | ISSI |
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Bi-Directional FIFO, 512X36, 25ns, Synchronous, MOS, PQFP132 | |
AP9B102-10VC | ISSI |
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Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28 | |
AP9B102-12VC | ISSI |
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Cache SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28 | |
AP9B102-15VC | ISSI |
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Cache SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28 | |
AP9B102-8VC | ISSI |
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Cache SRAM, 256KX4, 8ns, CMOS, PDSO28 | |
AP9B102L-10VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28 | |
AP9B102L-12VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28 | |
AP9B102L-15VC | ISSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28 |