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AP2302DTR-E1

更新时间： 2024-01-23 10:36:14

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BCDSEMI		稳压器双倍数据速率
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13页	154K
描述
3A DDR TERMINATION REGULATOR

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AP2302DTR-E1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Base Number Matches：	1

AP2302DTR-E1 数据手册

Preliminary Datasheet

3A DDR TERMINATION REGULATOR

AP2302

Electrical Characteristics

(T_J=25^oC, V_IN=2.5V, V_CNTL=3.3V, V_REFEN=1.25V, C_OUT=10µF (Ceramic), unless otherwise specified.)

Parameter

Symbol

Conditions

I_L=0A (Note 4)

Min

Typ

Max Unit

Output Offset Voltage

V_OS

-20

I_L=0 to 1.5A

0.8

1.2

DDR I

I_L=0 to -1.5A

I_L=0 to 1.5A

Load

Regulation

∆V_OUT

V_OUT

DDR II

I_L=0 to -1.5A

No Load

Quiescent Current of V_CNTL

Leakage Current in Shutdown Mode

Protection

I_Q

I_SHDN

V_REFEN<0.2V, R_L=180Ω

µA

Current Limit

I_LIMIT

^oC

Thermal Shutdown Temperature

Thermal Shutdown Hysteresis

Shutdown Function

T_SHDN

3.3V≤V_CNTL≤5V

150

Output=High

Output=Low

0.8

Shutdown Threshold Trigger

0.2

Note 4: V_OSis the voltage measurement defined as V_OUTsubtracted from V_REFEN

Jul. 2006 Rev. 1. 2

BCD Semiconductor Manufacturing Limited

1 2 3 456 7 8...13

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