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AOW480

更新时间: 2024-11-14 12:51:39
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美国万代 - AOS /
页数 文件大小 规格书
7页 372K
描述
80V N-Channel MOSFET

AOW480 数据手册

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AOW480  
80V N-Channel MOSFET  
SDMOS TM  
General Description  
Product Summary  
TheꢀAOW480ꢀisꢀfabricatedꢀwithꢀSDMOSTMꢀtrench  
technologyꢀthatꢀcombinesꢀexcellentꢀRDS(ON)ꢀwithꢀlowꢀgate  
chargeꢀ&ꢀlowꢀQrr.Theꢀresultꢀisꢀoutstandingꢀefficiencyꢀwith  
controlledꢀswitchingꢀbehavior.ꢀThisꢀuniversalꢀtechnologyꢀis  
wellꢀsuitedꢀforꢀPWM,ꢀloadꢀswitchingꢀandꢀgeneralꢀpurpose  
applications.  
ꢀꢀꢀVDS  
80V  
ꢀꢀꢀIDꢀꢀ(atꢀVGS=10V)  
ꢀꢀꢀRDS(ON)ꢀ(atꢀVGS=10V)  
ꢀꢀꢀRDS(ON)ꢀ(atꢀVGSꢀ=ꢀ7V)  
180A  
<ꢀ4.5m  
<ꢀ5.5mΩ  
100%ꢀUISꢀTested  
100%ꢀꢀRgꢀTested  
TO-262  
D
Top View  
Bottom View  
G
S
G
S
D
D
G
S
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Maximum  
80  
Units  
DrainꢁSourceꢀVoltage  
GateꢁSourceꢀVoltage  
V
V
VGS  
±25  
TC=25°C  
180  
134  
ContinuousꢀDrain  
CurrentꢀG  
ID  
TC=100°C  
A
PulsedꢀDrainꢀCurrentꢀC  
IDM  
500  
TA=25°C  
TA=70°C  
15  
ContinuousꢀDrain  
Current  
IDSM  
A
12  
AvalancheꢀCurrentꢀC  
IAS,IAR  
90  
A
AvalancheꢀenergyꢀL=0.1mHꢀC  
EAS,EAR  
405  
mJ  
TC=25°C  
PowerꢀDissipationꢀB  
TC=100°C  
333  
PD  
W
167  
TA=25°C  
1.9  
PDSM  
W
PowerꢀDissipationꢀA  
1.2  
TA=70°C  
JunctionꢀandꢀStorageꢀTemperatureꢀRange  
TJ,ꢀTSTG  
ꢁ55ꢀtoꢀ175  
°C  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Typ  
12  
Max  
15  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
MaximumꢀJunctionꢁtoꢁAmbientꢀA  
tꢀꢀ≤ꢀ10s  
RθJA  
MaximumꢀJunctionꢁtoꢁAmbientꢀAꢀD  
MaximumꢀJunctionꢁtoꢁCase  
SteadyꢁState  
SteadyꢁState  
54  
65  
RθJC  
0.35  
0.45  
ꢀRev0:ꢀJulyꢀ2011ꢀ  
www.aosmd.com  
Pageꢀ1ꢀofꢀ7ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  

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