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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.38 |
| 其他特性： | GATE PROTECTED | 配置： | COMMON SOURCE, 8 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 160 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.03 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A | 最大漏源导通电阻： | 350 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 2.4 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 8 | 端子数量： | 18 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AN0416ND | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,160V V(BR)DSS,25MA I(D),CHIP / DIE |
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| AN0416WG | MICROCHIP |
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TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,160V V(BR)DSS,30MA I(D),SO |
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| AN0420NA | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,30MA I(D),DIP |
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| AN0420ND | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,25MA I(D),CHIP / DIE |
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| AN0430NA | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,300V V(BR)DSS,30MA I(D),DIP |
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| AN0430ND | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,300V V(BR)DSS,25MA I(D),CHIP / DIE |
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| AN0432NA | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,320V V(BR)DSS,30MA I(D),DIP |
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| AN0432ND | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,320V V(BR)DSS,25MA I(D),CHIP / DIE |
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| AN0432WG | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,320V V(BR)DSS,30MA I(D),SO |
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| AN0440NA | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,30MA I(D),DIP |
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