5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.38 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | GATE PROTECTED |
| 配置： | COMMON SOURCE, 8 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 300 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.025 A | 最大漏源导通电阻： | 300 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 2.4 pF |
| JESD-30 代码： | S-XUUC-N16 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 8 | 端子数量： | 16 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AN0432NA | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,320V V(BR)DSS,30MA I(D),DIP |
|
| AN0432ND | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,320V V(BR)DSS,25MA I(D),CHIP / DIE |
|
| AN0432WG | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,320V V(BR)DSS,30MA I(D),SO |
|
| AN0440NA | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,30MA I(D),DIP |
|
| AN0440ND | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,25MA I(D),CHIP / DIE |
|
| AN0440WG | MICROCHIP |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| AN0440WG | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 400V, 8-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| AN04TA120J | ABCO |
获取价格 |
LEADED INDUCTORS |
|
| AN04TA120K | ABCO |
获取价格 |
LEADED INDUCTORS |
|
| AN04TA120M | ABCO |
获取价格 |
LEADED INDUCTORS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
