5秒后页面跳转
AN0432ND PDF预览

AN0432ND

更新时间: 2024-10-28 20:25:51
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 193K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,320V V(BR)DSS,25MA I(D),CHIP / DIE

AN0432ND 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.38
Is Samacsys:N其他特性:GATE PROTECTED
配置:COMMON SOURCE, 8 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:320 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.025 A最大漏源导通电阻:350 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):2.4 pF
JESD-30 代码:S-XUUC-N16JESD-609代码:e0
元件数量:8端子数量:16
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:SQUARE
封装形式:UNCASED CHIP峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

AN0432ND 数据手册

 浏览型号AN0432ND的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AN0432ND的Datasheet PDF文件第3页 

与AN0432ND相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AN0432WG MICROCHIP

获取价格

TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,320V V(BR)DSS,30MA I(D),SO
AN0440NA MICROCHIP

获取价格

TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,30MA I(D),DIP
AN0440ND MICROCHIP

获取价格

TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,25MA I(D),CHIP / DIE
AN0440WG MICROCHIP

获取价格

暂无描述
AN0440WG SUPERTEX

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 400V, 8-Element, N-Channel, Silicon, Met
AN04TA120J ABCO

获取价格

LEADED INDUCTORS
AN04TA120K ABCO

获取价格

LEADED INDUCTORS
AN04TA120M ABCO

获取价格

LEADED INDUCTORS
AN04TA1R5J ABCO

获取价格

LEADED INDUCTORS
AN04TA1R5K ABCO

获取价格

LEADED INDUCTORS