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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.38 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | GATE PROTECTED |
| 配置： | COMMON SOURCE, 8 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.03 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A |
| 最大漏源导通电阻： | 300 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 2.4 pF | JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 8 |
| 端子数量： | 18 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AN0420ND | MICROCHIP |
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TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,25MA I(D),CHIP / DIE |
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| AN0430NA | MICROCHIP |
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TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,300V V(BR)DSS,30MA I(D),DIP |
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| AN0430ND | MICROCHIP |
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TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,300V V(BR)DSS,25MA I(D),CHIP / DIE |
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| AN0432NA | MICROCHIP |
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TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,320V V(BR)DSS,30MA I(D),DIP |
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| AN0432ND | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,320V V(BR)DSS,25MA I(D),CHIP / DIE |
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| AN0432WG | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,320V V(BR)DSS,30MA I(D),SO |
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| AN0440NA | MICROCHIP |
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TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,30MA I(D),DIP |
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| AN0440ND | MICROCHIP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,25MA I(D),CHIP / DIE |
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| AN0440WG | MICROCHIP |
获取价格 |
暂无描述 |
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| AN0440WG | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 400V, 8-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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