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AM9150-20DCB

更新时间: 2024-09-12 21:53:47
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 575K
描述
1024x4 High-Speed Static R/W RAM

AM9150-20DCB 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP24,.3针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.89
Is Samacsys:N最长访问时间:20 ns
JESD-30 代码:R-GDIP-T24JESD-609代码:e0
长度:31.9405 mm内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1KX4输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP24,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm子类别:SRAMs
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:NMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

AM9150-20DCB 数据手册

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