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AM9150-35DCB

更新时间: 2024-11-04 22:37:23
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 575K
描述
1024x4 High-Speed Static R/W RAM

AM9150-35DCB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP24,.3针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.42
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-GDIP-T24
JESD-609代码:e0长度:31.9405 mm
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1KX4
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
子类别:SRAMs最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:NMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

AM9150-35DCB 数据手册

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