是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP24,.3 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.81 |
最长访问时间: | 45 ns | JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 31.9405 mm |
内存密度: | 4096 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 1KX4 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP24,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 5.08 mm | 子类别: | SRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | NMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM9150-45/BLC | AMD |
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1024x4 High-Speed Static R/W RAM | |
AM9150-45/BUA | AMD |
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1024x4 High-Speed Static R/W RAM | |
AM9150-45/BUC | AMD |
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1024x4 High-Speed Static R/W RAM | |
AM9150-45DC | AMD |
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1024x4 High-Speed Static R/W RAM | |
AM9150-45DCB | AMD |
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1024x4 High-Speed Static R/W RAM | |
AM9150-45LC | AMD |
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1024x4 High-Speed Static R/W RAM | |
AM9150-45LCB | AMD |
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1024x4 High-Speed Static R/W RAM | |
AM9150-45PC | ETC |
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x4 SRAM | |
AM9151-40DC | ETC |
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x4 SRAM | |
AM9151-40DCB | ETC |
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x4 SRAM |