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AM45DL3208GT70IT

更新时间: 2024-02-14 17:50:48
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
66页 1202K
描述
Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM

AM45DL3208GT70IT 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:LFBGA,
针数:73Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.23
其他特性:STATIC RAM IS ORGANIZED AS 512K X 16/1M X 8JESD-30 代码:R-PBGA-B73
JESD-609代码:e0长度:11.6 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT
内存宽度:16湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:73
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LFBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):240认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.4 mm最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:8 mmBase Number Matches:1

AM45DL3208GT70IT 数据手册

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P R E L I M I N A R Y  
FLASH MEMORY BLOCK DIAGRAM  
V
V
CC  
OE# BYTE#  
SS  
Mux  
Bank 1  
Bank 1 Address  
A20–A0  
X-Decoder  
Bank 2 Address  
RY/BY#  
Bank 2  
X-Decoder  
A20–A0  
RESET#  
STATE  
CONTROL  
&
Status  
WE#  
DQ15–DQ0  
COMMAND  
REGISTER  
CE#  
BYTE#  
WP#/ACC  
Control  
Mux  
DQ15–DQ0  
X-Decoder  
Bank 3  
Bank 3 Address  
Bank 4 Address  
X-Decoder  
Bank 4  
A20–A0  
Mux  
6
Am45DL3208G  
March 12, 2004  

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