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AM45DL3208GT70IT

更新时间： 2024-01-30 15:54:04

品牌	Logo	应用领域
超微 - AMD		闪存内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
66页	1202K
描述
Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM

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AM45DL3208GT70IT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA,
针数：	73	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.23
其他特性：	STATIC RAM IS ORGANIZED AS 512K X 16/1M X 8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B73
JESD-609代码：	e0	长度：	11.6 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	73
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

P R E L I M I N A R Y

Flash Data Retention . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

FLB073—73-Ball Fine-Pitch Grid Array 8 x 11.6 mm .............62

SRAM Data Retention . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

Figure 34. CE1#s Controlled Data Retention Mode........................ 61

Figure 35. CE2s Controlled Data Retention Mode.......................... 61

Physical Dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62

Revision Summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63

Am45DL3208G

March 12, 2004

1...3 4 567 8 9...66

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AM45DL3208GT85FS	SPANSION	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, FBGA-73	获取价格
AM45DL3208GT85FT	SPANSION	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, FBGA-73	获取价格
AM45DL3208GT85IS	AMD	Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM	获取价格
AM45DL3208GT85IT	AMD	Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM	获取价格
AM45DL3208GT85IT	SPANSION	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, FBGA-73	获取价格
AM45DL32X8G	ETC	Am45DL32x8G - Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM	获取价格