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AM45DL3208GT70IT

更新时间： 2024-02-10 11:10:54

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超微 - AMD		闪存内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
66页	1202K
描述
Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM

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AM45DL3208GT70IT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA,
针数：	73	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.23
其他特性：	STATIC RAM IS ORGANIZED AS 512K X 16/1M X 8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B73
JESD-609代码：	e0	长度：	11.6 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	73
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

AM45DL3208GT70IT 数据手册

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P R E L I M I N A R Y

CONNECTION DIAGRAM

73-Ball FBGA

Top View

Flash only

A10

Pseudo

SRAM only

B10

Shared

LB# WP#/ACC WE#

A11

A19

A12

A13

A15

UB# RESET# CE2s

A18 RY/BY# A20

A17

DQ1

F10

A10

DQ6

A14

G9 G10

A16

CE#f

OE#

DQ9

DQ3

DQ4

DQ13 DQ15/A-1 CIOf

DQ12

DQ7

V s

CE1#s DQ0

DQ10

DQ8

DQ2

DQ11 CIOs

DQ5

DQ14

L10

M10

The package and/or data integrity may be compromised

if the package body is exposed to temperatures above

150°C for prolonged periods of time.

Special Package Handling Instructions

Special handling is required for Flash Memory products

in molded packages (TSOP, BGA, PDIP, SSOP, PLCC).

March 12, 2004

Am45DL3208G

1...6 7 8910 11 12...66

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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