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AM29LV081B-70REI

更新时间： 2024-11-09 22:23:47
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 42K
描述
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory

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AM29LV081B-70REI 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP-40针数：40
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.24
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G40长度：18.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：40字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

AM29LV081B-70REI 数据手册

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ADVANCE INFORMATION  
Am29LV081B  
8 Megabit (1 M x 8-Bit)  
CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ Optimized architecture for Miniature Card and  
■ Unlock Bypass Program Command  
mass storage applications  
— Reduces overall programming time when  
issuing multiple program command sequences  
■ Single power supply operation  
— Full voltage range: 2.7 to 3.6 volt read and write  
operations for battery-powered applications  
■ Embedded Algorithms  
— Embedded Erase algorithm automatically  
preprograms and erases the entire chip or any  
combination of designated sectors  
— Regulated voltage range: 3.0 to 3.6 volt read and  
write operations and for compatibility with high  
performance 3.3 volt microprocessors  
— Embedded Program algorithm automatically  
writes and verifies data at specified addresses  
■ Manufactured on 0.35 µm process technology  
— Compatible with 0.5 µm Am29LV081 device  
■ Minimum 1,000,000 write cycle guarantee per  
sector  
■ High performance  
■ Package option  
— Full voltage range: access times as fast as 80 ns  
— 40-pin TSOP  
— Regulated voltage range: access times as fast  
as 70 ns  
■ Compatibility with JEDEC standards  
■ Ultra low power consumption (typical values at  
— Pinout and software compatible with single-  
power supply Flash  
5 MHz)  
— 200 nA Automatic Sleep mode current  
— 200 nA standby mode current  
— 7 mA read current  
— Superior inadvertent write protection  
■ Data# Polling and toggle bits  
— Provides a software method of detecting  
program or erase operation completion  
— 15 mA program/erase current  
■ Flexible sector architecture  
— Sixteen 64 Kbyte sectors  
— Supports full chip erase  
— Sector Protection features:  
■ Ready/Busy# pin (RY/BY#)  
— Provides a hardware method of detecting  
program or erase cycle completion  
■ Erase Suspend/Erase Resume  
A hardware method of locking a sector to  
prevent any program or erase operations within  
that sector  
— Suspends an erase operation to read data from,  
or program data to, a sector that is not being  
erased, then resumes the erase operation  
Sectors can be locked in-system or via  
programming equipment  
■ Hardware reset pin (RESET#)  
— Hardware method to reset the device to reading  
array data  
Temporary Sector Unprotect feature allows code  
changes in previously locked sectors  
This document contains information on a product under development at Advanced Micro Devices. The information  
is intended to help you evaluate this product. AMD reserves the right to change or discontinue work on this proposed  
product without notice.  
Publication# 21525 Rev: A Amendment/0  
Issue Date: January 1998  
Refer to AMD’s Website (www.amd.com) for the latest information.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29LV081B-70REIB AMD

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