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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | REVERSE, TSOP-40 | 针数： | 40 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.39 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 80 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G40 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 40 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1-R |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 10 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM29LV081B-80FIB | AMD |
获取价格 |
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory |
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| AM29LV081B-80FK | SPANSION |
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Flash, 1MX8, 80ns, PDSO40, REVERSE, TSOP-40 |
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| AM29LV081B-90EC | AMD |
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8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory |
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| AM29LV081B-90ECB | AMD |
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8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory |
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| AM29LV081B-90ED | AMD |
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8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory |
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| AM29LV081B-90EE | AMD |
获取价格 |
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory |
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| AM29LV081B-90EEB | AMD |
获取价格 |
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory |
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| AM29LV081B-90EF | AMD |
获取价格 |
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory |
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| AM29LV081B-90EI | AMD |
获取价格 |
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory |
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| AM29LV081B-90EIB | AMD |
获取价格 |
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory |
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