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AM29LV081B-90EE

更新时间： 2024-02-25 16:12:17
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 42K
描述
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory

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AM29LV081B-90EE 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSOP1-R, TSSOP40,.8,20
针数：40Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.24Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns其他特性：MINIMUM 1000K WRITE CYCLES; 20 YEAR DATA RETENTION
命令用户界面：YES数据轮询：YES
数据保留时间-最小值：20JESD-30 代码：R-PDSO-G40
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：16端子数量：40
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1-R
封装等效代码：TSSOP40,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
反向引出线：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：64K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：10 mmBase Number Matches：1

AM29LV081B-90EE 数据手册

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ADVANCE INFORMATION  
Am29LV081B  
8 Megabit (1 M x 8-Bit)  
CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ Optimized architecture for Miniature Card and  
■ Unlock Bypass Program Command  
mass storage applications  
— Reduces overall programming time when  
issuing multiple program command sequences  
■ Single power supply operation  
— Full voltage range: 2.7 to 3.6 volt read and write  
operations for battery-powered applications  
■ Embedded Algorithms  
— Embedded Erase algorithm automatically  
preprograms and erases the entire chip or any  
combination of designated sectors  
— Regulated voltage range: 3.0 to 3.6 volt read and  
write operations and for compatibility with high  
performance 3.3 volt microprocessors  
— Embedded Program algorithm automatically  
writes and verifies data at specified addresses  
■ Manufactured on 0.35 µm process technology  
— Compatible with 0.5 µm Am29LV081 device  
■ Minimum 1,000,000 write cycle guarantee per  
sector  
■ High performance  
■ Package option  
— Full voltage range: access times as fast as 80 ns  
— 40-pin TSOP  
— Regulated voltage range: access times as fast  
as 70 ns  
■ Compatibility with JEDEC standards  
■ Ultra low power consumption (typical values at  
— Pinout and software compatible with single-  
power supply Flash  
5 MHz)  
— 200 nA Automatic Sleep mode current  
— 200 nA standby mode current  
— 7 mA read current  
— Superior inadvertent write protection  
■ Data# Polling and toggle bits  
— Provides a software method of detecting  
program or erase operation completion  
— 15 mA program/erase current  
■ Flexible sector architecture  
— Sixteen 64 Kbyte sectors  
— Supports full chip erase  
— Sector Protection features:  
■ Ready/Busy# pin (RY/BY#)  
— Provides a hardware method of detecting  
program or erase cycle completion  
■ Erase Suspend/Erase Resume  
A hardware method of locking a sector to  
prevent any program or erase operations within  
that sector  
— Suspends an erase operation to read data from,  
or program data to, a sector that is not being  
erased, then resumes the erase operation  
Sectors can be locked in-system or via  
programming equipment  
■ Hardware reset pin (RESET#)  
— Hardware method to reset the device to reading  
array data  
Temporary Sector Unprotect feature allows code  
changes in previously locked sectors  
This document contains information on a product under development at Advanced Micro Devices. The information  
is intended to help you evaluate this product. AMD reserves the right to change or discontinue work on this proposed  
product without notice.  
Publication# 21525 Rev: A Amendment/0  
Issue Date: January 1998  
Refer to AMD’s Website (www.amd.com) for the latest information.  
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AM29LV081B-90EE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, REVERSE, MO-142CD, TSOP-40
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