是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | REVERSE, TSOP-40 | 针数: | 40 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.24 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 70 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 40 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1-R |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 10 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29LV081B-70RFCB | AMD |
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8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory | |
AM29LV081B-70RFD | SPANSION |
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Flash, 1MX8, 70ns, PDSO40, REVERSE, TSOP-40 | |
AM29LV081B-70RFE | AMD |
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8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory | |
AM29LV081B-70RFEB | AMD |
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8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory | |
AM29LV081B-70RFF | SPANSION |
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Flash, 1MX8, 70ns, PDSO40, REVERSE, TSOP-40 | |
AM29LV081B-70RFI | AMD |
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8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory | |
AM29LV081B-70RFI | SPANSION |
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Flash, 1MX8, 70ns, PDSO40, REVERSE, TSOP-40 | |
AM29LV081B-70RFIB | AMD |
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8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory | |
AM29LV081B-80EC | AMD |
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8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory | |
AM29LV081B-80EC | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 80ns, PDSO40, TSOP-40 |