是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.76 |
最长访问时间: | 70 ns | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 部门数/规模: | 16 |
端子数量: | 40 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP40,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 部门规模: | 64K |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.03 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29LV081B-70EI | AMD |
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8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory | |
AM29LV081B-70FC | SPANSION |
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Flash, 1MX8, 70ns, PDSO40, REVERSE, MO-142CD, TSOP-40 | |
AM29LV081B-70FD | SPANSION |
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Flash, 1MX8, 70ns, PDSO40, REVERSE, MO-142CD, TSOP-40 | |
AM29LV081B-70FI | SPANSION |
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Flash, 1MX8, 70ns, PDSO40, REVERSE, MO-142CD, TSOP-40 | |
AM29LV081B-70REC | AMD |
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8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory | |
AM29LV081B-70REC | SPANSION |
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Flash, 1MX8, 70ns, PDSO40, TSOP-40 | |
AM29LV081B-70RECB | AMD |
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8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory | |
AM29LV081B-70RED | SPANSION |
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Flash, 1MX8, 70ns, PDSO40, TSOP-40 | |
AM29LV081B-70REE | AMD |
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8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory | |
AM29LV081B-70REEB | AMD |
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8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Sector Erase Flash Memory |