Datasheet > AM29F040B-120EE

AM29F040B-120EE

更新时间： 2024-11-22 22:15:07

品牌	Logo	应用领域
超微 - AMD		内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
35页	762K
描述
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AM29F040B-120EE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	MINIMUM 1000K PROGRAM/ERASE CYCLE ;20 YEAR DATA RETENTION
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	20	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	8
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP32,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

AM29F040B-120EE 数据手册

Am29F040B

4 Megabit (512 K x 8-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ 5.0 V ± 10% for read and write operations

■ Embedded Algorithms

— Minimizes system level power requirements

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

■ Manufactured on 0.32 µm process technology

— Compatible with 0.5 µm Am29F040 device

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies bytes at specified addresses

■ High performance

— Access times as fast as 55 ns

■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per

sector guaranteed

■ Low power consumption

■ 20-year data retention at 125°C

— Reliable operation for the life of the system

■ Package options

— 20 mA typical active read current

— 30 mA typical program/erase current

— 1 µA typical standby current (standard access

time to active mode)

— 32-pin PLCC, TSOP, or PDIP

■ Flexible sector architecture

— 8 uniform sectors of 64 Kbytes each

— Any combination of sectors can be erased

— Supports full chip erase

■ Compatible with JEDEC standards

— Pinout and software compatible with

single-power-supply Flash standard

— Superior inadvertent write protection

— Sector protection:

■ Data# Polling and toggle bits

A hardware method of locking sectors to prevent

any program or erase operations within that sector

— Provides a software method of detecting

program or erase cycle completion

■ Erase Suspend/Erase Resume

— Suspends a sector erase operation to read data

from, or program data to, a non-erasing sector,

then resumes the erase operation

Publication# 21445 Rev: E Amendment/0

Issue Date: November 29, 2000

This Data Sheet states AMD’s current technical specifications regarding the Products described herein. This Data

Sheet may be revised by subsequent versions or modifications due to changes in technical specifications.

12 3 4 5 6 7...35

中文翻译

下载PDF

与AM29F040B-120EE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AM29F040B-120EEB	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F040B-120EF	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F040B-120EFB	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX8, 120ns, PDSO32, TSOP-32
AM29F040B-120EI	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F040B-120EIB	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F040B-120EK	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F040B-120EKB	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX8, 120ns, PDSO32, TSOP-32
AM29F040B-120FC	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F040B-120FCB	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F040B-120FE	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

与AM29F040B-120EE相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

26
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AM29F040B-120EE

AM29F040B-120EE 技术参数

AM29F040B-120EE 数据手册

与AM29F040B-120EE相关器件

与AM29F040B-120EE相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AM29F040B-120EE

AM29F040B-120EE 技术参数

AM29F040B-120EE 数据手册

与AM29F040B-120EE相关器件

与AM29F040B-120EE相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？