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AM29F040B-120JEB

更新时间： 2024-11-22 22:15:07
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
30页 372K
描述
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

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AM29F040B-120JEB 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：QFJ包装说明：QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.26Is Samacsys：N
最长访问时间：120 ns其他特性：1000K PROGRAM/ERASE CYCLES; DATA RETENTION 20 YEARS
命令用户界面：YES数据轮询：YES
数据保留时间-最小值：20耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PQCC-J32JESD-609代码：e0
长度：13.97 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：8
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.55 mm
部门规模：64K最大待机电流：0.00002 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：11.43 mmBase Number Matches：1

AM29F040B-120JEB 数据手册

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PRELIMINARY  
Am29F040B  
4 Megabit (512 K x 8-Bit)  
CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory  
Distinctive Characteristics  
■ 5.0 V ± 10% for read and write operations  
■ Embedded Algorithms  
— Minimizes system level power requirements  
— Embedded Erase algorithm automatically  
preprograms and erases the entire chip or any  
combination of designated sectors  
■ Manufactured on 0.35 µm process technology  
— Compatible with 0.5 µm Am29F040 device  
— Embedded Program algorithm automatically  
writes and verifies bytes at specified addresses  
■ High performance  
— Access times as fast as 55 ns  
■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per  
sector guaranteed  
■ Low power consumption  
■ Package options  
— 20 mA typical active read current  
— 30 mA typical program/erase current  
— 32-pin PLCC, TSOP, or PDIP  
— 1 µA typical standby current (standard access  
time to active mode)  
■ Compatible with JEDEC standards  
— Pinout and software compatible with  
single-power-supply Flash standard  
■ Flexible sector architecture  
— 8 uniform sectors of 64 Kbytes each  
— Any combination of sectors can be erased  
— Supports full chip erase  
— Superior inadvertent write protection  
■ Data# Polling and toggle bits  
— Provides a software method of detecting  
program or erase cycle completion  
— Sector protection:  
A hardware method of locking sectors to prevent  
any program or erase operations within that  
sector  
■ Erase Suspend/Erase Resume  
— Suspends a sector erase operation to read data  
from, or program data to, a non-erasing sector,  
then resumes the erase operation  
Publication# 21445 Rev: B Amendment/+2  
Issue Date: April 1998  
1234567...30

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与AM29F040B-120JEB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29F040B-120JF AMD

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 		4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F040B-120JFB SPANSION

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 		Flash, 512KX8, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
AM29F040B-120JI AMD

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 		IC-4MB 5V FLASH MEMORY
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