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AM29F040B-120FEB

更新时间： 2024-11-22 22:15:07

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超微 - AMD		内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
30页	372K
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

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AM29F040B-120FEB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1-R, TSSOP32,.8,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	1000K PROGRAM/ERASE CYCLES; DATA RETENTION 20 YEARS
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	20	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	8
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1-R
封装等效代码：	TSSOP32,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.00002 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

AM29F040B-120FEB 数据手册

PRELIMINARY

Am29F040B

4 Megabit (512 K x 8-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

Distinctive Characteristics

■ 5.0 V ± 10% for read and write operations

■ Embedded Algorithms

— Minimizes system level power requirements

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

■ Manufactured on 0.35 µm process technology

— Compatible with 0.5 µm Am29F040 device

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies bytes at specified addresses

■ High performance

— Access times as fast as 55 ns

■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per

sector guaranteed

■ Low power consumption

■ Package options

— 20 mA typical active read current

— 30 mA typical program/erase current

— 32-pin PLCC, TSOP, or PDIP

— 1 µA typical standby current (standard access

time to active mode)

■ Compatible with JEDEC standards

— Pinout and software compatible with

single-power-supply Flash standard

■ Flexible sector architecture

— 8 uniform sectors of 64 Kbytes each

— Any combination of sectors can be erased

— Supports full chip erase

— Superior inadvertent write protection

■ Data# Polling and toggle bits

— Provides a software method of detecting

program or erase cycle completion

— Sector protection:

A hardware method of locking sectors to prevent

any program or erase operations within that

sector

■ Erase Suspend/Erase Resume

— Suspends a sector erase operation to read data

from, or program data to, a non-erasing sector,

then resumes the erase operation

Publication# 21445 Rev: B Amendment/+2

Issue Date: April 1998

12 3 4 5 6 7...30

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