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AM29F040B-120PDB

更新时间： 2024-09-19 14:26:55

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
30页	417K
描述
Flash, 512KX8, 120ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32

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AM29F040B-120PDB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP,
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.43	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	1000K PROGRAM/ERASE CYCLES; DATA RETENTION 20 YEARS
数据保留时间-最小值：	20	JESD-30 代码：	R-PDIP-T32
JESD-609代码：	e3	长度：	42.037 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	类型：	NOR TYPE
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

AM29F040B-120PDB 数据手册

Am29F040B

4 Megabit (512 K x 8-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ 5.0 V ± 10% for read and write operations

■ Embedded Algorithms

— Minimizes system level power requirements

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

■ Manufactured on 0.32 µm process technology

— Compatible with 0.5 µm Am29F040 device

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies bytes at specified addresses

■ High performance

— Access times as fast as 55 ns

■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per

sector guaranteed

■ Low power consumption

■ 20-year data retention at 125°C

— Reliable operation for the life of the system

■ Package options

— 20 mA typical active read current

— 30 mA typical program/erase current

— 1 µA typical standby current (standard access

time to active mode)

— 32-pin PLCC, TSOP, or PDIP

■ Flexible sector architecture

— 8 uniform sectors of 64 Kbytes each

— Any combination of sectors can be erased

— Supports full chip erase

■ Compatible with JEDEC standards

— Pinout and software compatible with

single-power-supply Flash standard

— Superior inadvertent write protection

— Sector protection:

■ Data# Polling and toggle bits

A hardware method of locking sectors to prevent

any program or erase operations within that sector

— Provides a software method of detecting

program or erase cycle completion

■ Erase Suspend/Erase Resume

— Suspends a sector erase operation to read data

from, or program data to, a non-erasing sector,

then resumes the erase operation

Publication# 21445 Rev: C Amendment/+2

Issue Date: May 17, 1999

This Data Sheet states AMD’s current technical specifications regarding the Products described herein. This Data

Sheet may be revised by subsequent versions or modifications due to changes in technical specifications.

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AM29F040B-120PF	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
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