是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSOP1, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.34 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 120 ns |
其他特性: | 1000K PROGRAM/ERASE CYCLES; DATA RETENTION 20 YEARS | 数据保留时间-最小值: | 20 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29F040B-120EE | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-120EEB | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-120EF | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-120EFB | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 120ns, PDSO32, TSOP-32 | |
AM29F040B-120EI | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-120EIB | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-120EK | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-120EKB | SPANSION |
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Flash, 512KX8, 120ns, PDSO32, TSOP-32 | |
AM29F040B-120FC | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory | |
AM29F040B-120FCB | AMD |
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |