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AM28F020-200FI PDF预览

AM28F020-200FI

更新时间： 2024-09-09 20:19:07
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 1125K
描述
Flash, 256KX8, 200ns, PDSO32, REVERSE, TSOP-32

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AM28F020-200FI 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SOP,
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.69最长访问时间：200 ns
其他特性：10K WRITE/ERASE CYCLES MINJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL编程电压：12 V
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL类型：NOR TYPE
Base Number Matches：1

AM28F020-200FI 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM28F020-200FIB AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F020-200JC ROCHESTER

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 		Flash, 256KX8, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
AM28F020-200JC AMD

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