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AM28F020-200LC

更新时间： 2024-09-09 20:17:19

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AM28F020-200LC 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	QCCN,
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	200 ns	其他特性：	BULK ERASE
JESD-30 代码：	R-CQCC-N32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	12 V
座面最大高度：	2.54 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	类型：	NOR TYPE
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...35

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AM28F020-200LE	ROCHESTER	获取价格	Flash, 256KX8, 200ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
AM28F020-200LEB	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM28F020-200LI	ROCHESTER	获取价格	Flash, 256KX8, 200ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
AM28F020-200PC	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F020-200PCB	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F020-200PE	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F020-200PEB	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F020-200PI	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F020-200PIB	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
AM28F020-250/BXA	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM