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AM27C256-255DCB PDF预览

AM27C256-255DCB

更新时间： 2024-11-15 22:56:31
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 164K
描述
256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS EPRO

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AM27C256-255DCB 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：WDIP, DIP28,.6
针数：28Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.61
风险等级：5.23Is Samacsys：N
最长访问时间：250 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-CDIP-T28JESD-609代码：e0
长度：37.1475 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：UVPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：WDIP封装等效代码：DIP28,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE, WINDOW
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：12.75 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.588 mm
最大待机电流：0.0001 A子类别：EPROMs
最大压摆率：0.025 mA最大供电电压 (Vsup)：5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：4.75 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

AM27C256-255DCB 数据手册

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FINAL  
Am27C256  
256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS EPROM  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ Fast access time  
■ Latch-up protected to 100 mA from –1 V to  
VCC + 1 V  
— Speed options as fast as 45 ns  
■ Low power consumption  
■ High noise immunity  
■ Versatile features for simple interfacing  
— Both CMOS and TTL input/output compatibility  
— Two line control functions  
— 20 µA typical CMOS standby current  
■ JEDEC-approved pinout  
■ Single +5 V power supply  
■ Standard 28-pin DIP, PDIP, and 32-pin PLCC  
■ ±10% power supply tolerance standard  
■ 100% Flashrite™ programming  
— Typical programming time of 4 seconds  
packages  
GENERAL DESCRIPTION  
The Am27C256 is a 256-Kbit, ultraviolet erasable pro-  
grammable read-only memory. It is organized as 32K  
words by 8 bits per word, operates from a single +5 V  
supply, has a static standby mode, and features fast  
single address location programming. Products are  
available in windowed ceramic DIP packages, as well  
as plastic one time programmable (OTP) PDIP and  
PLCC packages.  
thus eliminating bus contention in a multiple bus micro-  
processor system.  
AMD’s CMOS process technology provides high  
speed, low power, and high noise immunity. Typical  
power consumption is only 80 mW in active mode, and  
100 µW in standby mode.  
All signals are TTL levels, including programming sig-  
nals. Bit locations may be programmed singly, in  
blocks, or at random. The device supports AMD’s  
Flashrite programming algorithm (100 µs pulses), re-  
sulting in a typical programming time of 4 seconds.  
Data can be typically accessed in less than 55 ns, al-  
lowing high-performance microprocessors to operate  
without any WAIT states. The device offers separate  
Output Enable (OE#) and Chip Enable (CE#) controls,  
BLOCK DIAGRAM  
V
Data Outputs  
DQ0–DQ7  
CC  
V
V
SS  
PP  
Output Enable  
Chip Enable  
and  
OE#  
CE#  
Output  
Buffers  
Prog Logic  
Y
Y
Gating  
Decoder  
A0–A14  
Address  
Inputs  
262,144  
Bit Cell  
Matrix  
X
Decoder  
08007I-1  
Publication# 08007 Rev: I Amendment/0  
Issue Date: May 1998  
1234567...12

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AM27C256-255DCB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M27256F1 STMICROELECTRONICS

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