是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | WDIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.4 | 最长访问时间: | 250 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 37.1475 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | WDIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12.75 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.588 mm |
最大待机电流: | 0.00012 A | 子类别: | EPROMs |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 15.24 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM27C256-255DEB | AMD |
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256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS EPRO | |
AM27C256-255DI | AMD |
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256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS EPRO | |
AM27C256-255DIB | AMD |
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256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS EPRO | |
AM27C256-255EC | AMD |
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256 Kilobit (32,768 x 8-Bit) CMOS EPROM | |
AM27C256-255EI | AMD |
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256 Kilobit (32,768 x 8-Bit) CMOS EPROM | |
AM27C256-255JC | AMD |
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256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS EPRO | |
AM27C256-255JI | AMD |
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256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS EPRO | |
AM27C256-255LC | ROCHESTER |
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UVPROM, 32KX8, 250ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
AM27C256-255LCB | ETC |
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x8 EPROM | |
AM27C256-255LE | ETC |
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x8 EPROM |