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AM27C256-45DI

更新时间： 2024-09-30 22:56:31

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超微 - AMD		/
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12页	164K
描述
256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS EPRO

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AM27C256-45DI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	WDIP, DIP28,.6
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.61
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	45 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	37.1475 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	UVPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	WDIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE, WINDOW
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	12.75 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.588 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	EPROMs
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

AM27C256-45DI 数据手册

FINAL

Am27C256

256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS EPROM

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Fast access time

■ Latch-up protected to 100 mA from –1 V to

V_CC+ 1 V

— Speed options as fast as 45 ns

■ Low power consumption

■ High noise immunity

■ Versatile features for simple interfacing

— Both CMOS and TTL input/output compatibility

— Two line control functions

— 20 µA typical CMOS standby current

■ JEDEC-approved pinout

■ Single +5 V power supply

■ Standard 28-pin DIP, PDIP, and 32-pin PLCC

■ ±10% power supply tolerance standard

■ 100% Flashrite™ programming

— Typical programming time of 4 seconds

packages

GENERAL DESCRIPTION

The Am27C256 is a 256-Kbit, ultraviolet erasable pro-

grammable read-only memory. It is organized as 32K

words by 8 bits per word, operates from a single +5 V

supply, has a static standby mode, and features fast

single address location programming. Products are

available in windowed ceramic DIP packages, as well

as plastic one time programmable (OTP) PDIP and

PLCC packages.

thus eliminating bus contention in a multiple bus micro-

processor system.

AMD’s CMOS process technology provides high

speed, low power, and high noise immunity. Typical

power consumption is only 80 mW in active mode, and

100 µW in standby mode.

All signals are TTL levels, including programming sig-

nals. Bit locations may be programmed singly, in

blocks, or at random. The device supports AMD’s

Flashrite programming algorithm (100 µs pulses), re-

sulting in a typical programming time of 4 seconds.

Data can be typically accessed in less than 55 ns, al-

lowing high-performance microprocessors to operate

without any WAIT states. The device offers separate

Output Enable (OE#) and Chip Enable (CE#) controls,

BLOCK DIAGRAM

Data Outputs

DQ0–DQ7

Output Enable

Chip Enable

and

OE#

CE#

Output

Buffers

Prog Logic

Gating

Decoder

A0–A14

Address

Inputs

262,144

Bit Cell

Matrix

Decoder

08007I-1

Publication# 08007 Rev: I Amendment/0

Issue Date: May 1998

12 3 4 5 6 7...12

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AM27C256-45DI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
M27C256B-45F6X	STMICROELECTRONICS	功能相似	256 Kbit (32Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AM27C256-45JI	AMD	获取价格	256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS EPRO
AM27C256-45PC	AMD	获取价格	256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS EPRO
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