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AM27C256-255PI

更新时间： 2024-10-01 20:13:31

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飞索 - SPANSION		OTP只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	564K
描述
OTP ROM, 32KX8, 250ns, CMOS, PDIP28, DIP-28

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AM27C256-255PI 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.23
最长访问时间：	250 ns	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
长度：	37.084 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.715 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

AM27C256-255PI 数据手册

FINAL

Am27C256

256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS EPROM

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Fast access time

■ Latch-up protected to 100 mA from –1 V to

V_CC+ 1 V

— Speed options as fast as 45 ns

■ Low power consumption

■ High noise immunity

■ Versatile features for simple interfacing

— Both CMOS and TTL input/output compatibility

— Two line control functions

— 20 µA typical CMOS standby current

■ JEDEC-approved pinout

■ Single +5 V power supply

■ Standard 28-pin DIP, PDIP, and 32-pin PLCC

■ ±10% power supply tolerance standard

■ 100% Flashrite™ programming

— Typical programming time of 4 seconds

packages

Am27C1

GENERAL DESCRIPTION

024

The Am27C256 is a 256-Kbit, ultraviolet erasable pro-

grammable read-only memory. It is organized as 32K

words by 8 bits per word, operates from a single +5 V

supply, has a static standby mode, and features fast

single address location programming. Products are

available in windowed ceramic DIP packages, as well

as plastic one time programmable (OTP) PDIP and

PLCC packages.

thus eliminating bus contention in a multiple bus micro-

processor system.

AMD’s CMOS process technology provides high

speed, low power, and high noise immunity. Typical

power consumption is only 80 mW in active mode, and

100 µW in standby mode.

All signals are TTL levels, including programming sig-

nals. Bit locations may be programmed singly, in

blocks, or at random. The device supports AMD’s

Flashrite programming algorithm (100 µs pulses), re-

sulting in a typical programming time of 4 seconds.

Data can be typically accessed in less than 55 ns, al-

lowing high-performance microprocessors to operate

without any WAIT states. The device offers separate

Output Enable (OE#) and Chip Enable (CE#) controls,

BLOCK DIAGRAM

Data Outputs

DQ0–DQ7

Output Enable

Chip Enable

and

OE#

CE#

Output

Buffers

Prog Logic

Gating

Decoder

A0–A14

Address

Inputs

262,144

Bit Cell

Matrix

Decoder

08007J-1

Publication# 08007 Rev: J Amendment/0

Issue Date: July 14, 1999

12 3 4 5 6 7...12

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