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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | DIE, | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.82 |
| 输入特性： | SCHMITT TRIGGER | 接口集成电路类型： | LINE RECEIVER |
| 接口标准： | EIA-232-C | JESD-30 代码： | R-XUUC-N14 |
| 功能数量： | 4 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出特性： | OPEN-COLLECTOR | 输出极性： | INVERTED |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIE |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大接收延迟： | 85 ns |
| 接收器位数： | 1 | 最大压摆率： | 26 mA |
| 最大供电电压： | 5.5 V | 最小供电电压： | 4.5 V |
| 标称供电电压： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM2630-002 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, S Band, Silicon, NPN, S042 |
|
| AM2630-002E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, S Band, Silicon, NPN, S042 |
|
| AM2630-004 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, S Band, Silicon, NPN, S040 |
|
| AM2630-004E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, S Band, Silicon, NPN, S040 |
|
| AM2630-008 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, S Band, Silicon, NPN, S040 |
|
| AM2630-008E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, S Band, Silicon, NPN, S040 |
|
| AM2631 | TI |
获取价格 |
具有实时控制和安全功能且频率高达 400MHz 的单核 Arm® Cortex®-R5F |
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| AM2631CNDGHAZCZR | TI |
获取价格 |
具有实时控制和安全功能且频率高达 400MHz 的单核 Arm® Cortex®-R5F |
|
| AM2631CNDGHMZCZRQ1 | TI |
获取价格 |
具有实时控制和安全功能且频率高达 400MHz 的汽车类单核 Arm® Cortex®-R |
|
| AM2631CNEGHAZCZR | TI |
获取价格 |
具有实时控制和安全功能且频率高达 400MHz 的单核 Arm® Cortex®-R5F |
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