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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最高频带： | S BAND | JESD-609代码： | e0 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 端子面层： | TIN LEAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 2650 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM2630-002E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, S Band, Silicon, NPN, S042 |
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| AM2630-004 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, S Band, Silicon, NPN, S040 |
|
| AM2630-004E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, S Band, Silicon, NPN, S040 |
|
| AM2630-008 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, S Band, Silicon, NPN, S040 |
|
| AM2630-008E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, S Band, Silicon, NPN, S040 |
|
| AM2631 | TI |
获取价格 |
具有实时控制和安全功能且频率高达 400MHz 的单核 Arm® Cortex®-R5F |
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| AM2631CNDGHAZCZR | TI |
获取价格 |
具有实时控制和安全功能且频率高达 400MHz 的单核 Arm® Cortex®-R5F |
|
| AM2631CNDGHMZCZRQ1 | TI |
获取价格 |
具有实时控制和安全功能且频率高达 400MHz 的汽车类单核 Arm® Cortex®-R |
|
| AM2631CNEGHAZCZR | TI |
获取价格 |
具有实时控制和安全功能且频率高达 400MHz 的单核 Arm® Cortex®-R5F |
|
| AM2631CODGHMZCZRQ1 | TI |
获取价格 |
具有实时控制和安全功能且频率高达 400MHz 的汽车类单核 Arm® Cortex®-R |
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