是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.92 |
最高频带: | S BAND | JESD-609代码: | e0 |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 端子面层: | TIN LEAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 2650 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM2630-002E3 | MICROSEMI |
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RF Power Bipolar Transistor, S Band, Silicon, NPN, S042 | |
AM2630-004 | MICROSEMI |
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RF Power Bipolar Transistor, S Band, Silicon, NPN, S040 | |
AM2630-004E3 | MICROSEMI |
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RF Power Bipolar Transistor, S Band, Silicon, NPN, S040 | |
AM2630-008 | MICROSEMI |
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RF Power Bipolar Transistor, S Band, Silicon, NPN, S040 | |
AM2630-008E3 | MICROSEMI |
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RF Power Bipolar Transistor, S Band, Silicon, NPN, S040 | |
AM2631 | TI |
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具有实时控制和安全功能且频率高达 400MHz 的单核 Arm® Cortex®-R5F | |
AM2631CNDGHAZCZR | TI |
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具有实时控制和安全功能且频率高达 400MHz 的单核 Arm® Cortex®-R5F | |
AM2631CNDGHMZCZRQ1 | TI |
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具有实时控制和安全功能且频率高达 400MHz 的汽车类单核 Arm® Cortex®-R | |
AM2631CNEGHAZCZR | TI |
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具有实时控制和安全功能且频率高达 400MHz 的单核 Arm® Cortex®-R5F | |
AM2631CODGHMZCZRQ1 | TI |
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具有实时控制和安全功能且频率高达 400MHz 的汽车类单核 Arm® Cortex®-R |